| 专利名称 | Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法 | 申请号 | CN201210019112.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593242A | 公开（授权）日 | 20120718 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 侯云;黄志明;高艳卿;吴敬;张雷博;周炜;张琰;褚君浩 | 主分类号 | H01L31/18 | IPC主分类号 | 专利有效期 | Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法 至Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
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