| 专利名称 | 一种4H-SiC像素肖特基辐射探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201910499916.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN110265500A | 公开（授权）日 | 20190920 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 梁晓华;夏晓川;韩冲;梁红伟;崔兴柱 | 主分类号 | H01L31/028 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种4H-SiC像素肖特基辐射探测器及其制备方法 至一种4H-SiC像素肖特基辐射探测器及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障