| 专利名称 | 一种基于电击穿在氮化硅薄膜上精确制备纳米孔的方法 | 申请号 | CN201510749988.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105368938B | 公开（授权）日 | 20160302 | 申请（专利权）人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 发明（设计）人 | 王德强;应翠凤;黄绮梦;张月川;冯艳晓 | 主分类号 | C12Q1/68 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种基于电击穿在氮化硅薄膜上精确制备纳米孔的方法 至一种基于电击穿在氮化硅薄膜上精确制备纳米孔的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障