| 专利名称 | 一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法 | 申请号 | CN201510295876.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105006428B | 公开（授权）日 | 20151028 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 王洋;胡淑红;吕英飞;戴宁 | 主分类号 | H01L21/208 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法 至一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障