| 专利名称 | 剖面改善的牺牲栅主体形成方法及半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201310575109.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104658895B | 公开（授权）日 | 20150527 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵治国;朱慧珑;殷华湘 | 主分类号 | H01L21/28 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 剖面改善的牺牲栅主体形成方法及半导体器件制造方法 至剖面改善的牺牲栅主体形成方法及半导体器件制造方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障