| 专利名称 | 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 | 申请号 | CN201410160279.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103938178A | 公开（授权）日 | 20140723 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杜文娜;杨晓光;王小耶;杨涛;王占国 | 主分类号 | C23C16/18 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 至直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障