| 专利名称 | MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 | 申请号 | CN200710099292.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101308795A | 公开（授权）日 | 20081119 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 韦欣 | 主分类号 | H01L21/324 | IPC主分类号 | 专利有效期 | MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 至MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
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4、专员跟进，交易保障