| 专利名称 | 一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体及制备方法 | 申请号 | CN200510087072.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1905081A | 公开（授权）日 | 20070131 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王淑芳;周岳亮;赵嵩卿;韩鹏;陈正豪;吕惠宾;金奎娟;程波林;何萌;杨国桢 | 主分类号 | H01B1/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体及制备方法 至一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体及制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障