| 专利名称 | 制备与硅平面工艺兼容的纳米晶SnO2薄膜的方法 | 申请号 | CN99126828.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1300096A | 公开（授权）日 | 20010620 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 索辉;刘云;王立军;王庆亚;向思清;朱玉梅;王兢 | 主分类号 | H01L21/208 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 制备与硅平面工艺兼容的纳米晶SnO2薄膜的方法 至制备与硅平面工艺兼容的纳米晶SnO2薄膜的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障