| 专利名称 | 磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜 | 申请号 | CN200410067895.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1292103C | 公开（授权）日 | 20050629 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 周国清;刘军芳;徐军;何晓明;夏长泰 | 主分类号 | C30B23/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜 至磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障