| 专利名称 | 透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件 | 申请号 | CN201811255896.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109461644A | 公开（授权）日 | 20190312 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘乃鑫;魏同波;魏学成;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L21/02 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件 至透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障