| 专利名称 | 基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件及其制备方法 | 申请号 | CN201810706771.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108962976A | 公开（授权）日 | 20181207 | 申请（专利权）人 | 捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;王成森;王鑫华;王泽卫;黄森;康玄武;魏珂;黄健 | 主分类号 | H01L29/06 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件及其制备方法 至基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障