| 专利名称 | 一种硅穿孔结构的绝缘层底部开窗制造方法和硅穿孔结构 | 申请号 | CN201510481215.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105070683A | 公开（授权）日 | 20151118 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 孙蓉;张国平;刘强 | 主分类号 | H01L21/768 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种硅穿孔结构的绝缘层底部开窗制造方法和硅穿孔结构 至一种硅穿孔结构的绝缘层底部开窗制造方法和硅穿孔结构 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障