| 专利名称 | 在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 | 申请号 | CN201210033519.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102569034A | 公开（授权）日 | 20120711 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵建华;王思亮;俞学哲;王海龙 | 主分类号 | H01L21/02 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 至在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
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3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障