| 专利名称 | 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 | 申请号 | CN201510892854.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105374860A | 公开（授权）日 | 20160302 | 申请（专利权）人 | 北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;闫俊达;李百泉;王权;肖红领;冯春;殷海波;姜丽娟;邱爱芹;介芳 | 主分类号 | H01L29/66 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 至一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障