| 专利名称 | 准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 | 申请号 | CN200410050003.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1713472A | 公开（授权）日 | 20051228 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 丁颖;王圩;王书学;朱洪亮 | 主分类号 | H01S5/34 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 至准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障