| 专利名称 | 背接触式钙钛矿发光二极管 | 申请号 | CN201910391928.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN110085756A | 公开（授权）日 | 20190802 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周琳;刘陶然;左玉华;郑军;刘智;成步文 | 主分类号 | H01L51/50 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 背接触式钙钛矿发光二极管 至背接触式钙钛矿发光二极管 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障