| 专利名称 | SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法 | 申请号 | CN200910242349.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101710195A | 公开（授权）日 | 20100519 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 陈少武;程勇鹏;任光辉;樊中朝 | 主分类号 | G02B6/13 | IPC主分类号 | 专利有效期 | SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法 至SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障