| 专利名称 | 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 | 申请号 | CN02144730.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1275336C | 公开（授权）日 | 20040623 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 单崇新;范希武;张吉英;张振中;王晓华;吕有明;刘益春;申德振 | 主分类号 | H01L33/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 至硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障