| 专利名称 | 高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法 | 申请号 | CN01100889.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1145197C | 公开（授权）日 | 20020904 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 韩培德;陈振 | 主分类号 | H01L21/205 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法 至高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障