| 专利名称 | 基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法 | 申请号 | CN201810217899.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN110277445A | 公开（授权）日 | 20190924 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 沈玲燕;程新红;郑理;张栋梁;王谦;顾子悦;俞跃辉 | 主分类号 | H01L29/778 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法 至基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障