| 专利名称 | FinFet器件源漏区的形成方法 | 申请号 | CN201310446229.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104465389B | 公开（授权）日 | 20150325 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘金彪;徐强;熊文娟;李春龙;李俊峰;刘青;王垚 | 主分类号 | H01L21/336 | IPC主分类号 | 专利有效期 | FinFet器件源漏区的形成方法 至FinFet器件源漏区的形成方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障