| 专利名称 | 蓝光增敏硅基雪崩光电二极管阵列器件 | 申请号 | CN201811609652.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109712999A | 公开（授权）日 | 20190503 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 王维彪;梁静秋;高丹;张军;秦余欣;吕金光;陶金;王浩冰 | 主分类号 | H01L27/144 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 蓝光增敏硅基雪崩光电二极管阵列器件 至蓝光增敏硅基雪崩光电二极管阵列器件 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障