| 专利名称 | BiFeO3薄膜的原子层沉积方法 | 申请号 | CN201210278738.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102776486A | 公开（授权）日 | 20121114 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张峰;孙国胜;王雷;赵万顺;刘兴昉;曾一平 | 主分类号 | C23C16/40 | IPC主分类号 | 专利有效期 | BiFeO3薄膜的原子层沉积方法 至BiFeO3薄膜的原子层沉积方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
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