| 专利名称 | 掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法 | 申请号 | CN200610078213.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101071935A | 公开（授权）日 | 20071114 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 冯文;潘教青;周帆;王宝军;赵玲娟;朱洪亮;王圩 | 主分类号 | H01S5/12 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法 至掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障