| 专利名称 | 砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料 | 申请号 | CN200510011893.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1877855A | 公开（授权）日 | 20061213 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李海鸥;尹军舰;和致经;张海英;叶甜春 | 主分类号 | H01L29/15 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料 至砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障