| 专利名称 | 提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法 | 申请号 | CN200510111620.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1808670A | 公开（授权）日 | 20060726 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 冯涛;王曦;戴丽娟;蒋军;柳襄怀 | 主分类号 | H01J9/02 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法 至提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障