| 专利名称 | 一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法 | 申请号 | CN201711456098.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108054273A | 公开（授权）日 | 20180518 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 巫远招;刘宜伟;李润伟 | 主分类号 | H01L41/06 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法 至一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障