| 专利名称 | 一种包含缓冲层的外延结构及其制备方法 | 申请号 | CN201611060442.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106711252A | 公开（授权）日 | 20170524 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 陈良惠;李健;韦欣;付东;吴浩越;江宇;徐云;宋国峰 | 主分类号 | H01L31/0352 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种包含缓冲层的外延结构及其制备方法 至一种包含缓冲层的外延结构及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障