| 专利名称 | 一种三层复合离子注入阻挡层及其制备、去除方法 | 申请号 | CN201110379705.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102496559A | 公开（授权）日 | 20120613 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李博;申华军;白云;汤益丹;刘焕明;周静涛;杨成樾;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/02 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种三层复合离子注入阻挡层及其制备、去除方法 至一种三层复合离子注入阻挡层及其制备、去除方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障