| 专利名称 | InN、GaN及AIN低维纳米结构材料的合成方法 | 申请号 | CN200910028440.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101477950A | 公开（授权）日 | 20090708 | 申请（专利权）人 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 耿秀梅;刘海滨;程国胜 | 主分类号 | H01L21/208 | IPC主分类号 | 专利有效期 | InN、GaN及AIN低维纳米结构材料的合成方法 至InN、GaN及AIN低维纳米结构材料的合成方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障