| 专利名称 | 双栅MOS器件 | 申请号 | CN88220839.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN2038669U | 公开（授权）日 | 19890531 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 林雨;陆文兰;王志英 | 主分类号 | H01L29/78 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 双栅MOS器件 至双栅MOS器件 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障