| 专利名称 | 一种用扩宽片层间距的过渡金属硫化物吸附汞离子的方法 | 申请号 | CN201610318002.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107362767A | 公开（授权）日 | 20171121 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 艾可龙;阮长平;逯乐慧 | 主分类号 | B01J20/02 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种用扩宽片层间距的过渡金属硫化物吸附汞离子的方法 至一种用扩宽片层间距的过渡金属硫化物吸附汞离子的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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