| 专利名称 | 一种形成绝缘体上鳍的方法 | 申请号 | CN201510572093.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106531792A | 公开（授权）日 | 20170322 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵治国;殷华湘;朱慧珑;赵超 | 主分类号 | H01L29/78 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种形成绝缘体上鳍的方法 至一种形成绝缘体上鳍的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
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