| 专利名称 | 一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法 | 申请号 | CN201210149093.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102664147A | 公开（授权）日 | 20120912 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;贾婷婷;曹铎;王中健;徐大伟;夏超;宋朝瑞;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/283 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法 至一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障