| 专利名称 | N型场效应薄膜晶体管及其制作方法、CMOS反相器及其制作方法 | 申请号 | CN201710183417.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108630760A | 公开（授权）日 | 20181009 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 许启启;徐文亚;周春山;赵建文;崔铮 | 主分类号 | H01L29/786 | IPC主分类号 | 专利有效期 | N型场效应薄膜晶体管及其制作方法、CMOS反相器及其制作方法 至N型场效应薄膜晶体管及其制作方法、CMOS反相器及其制作方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障