晶体硅体少子寿命的测试方法

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专利名称 晶体硅体少子寿命的测试方法 申请号 CN201410673901.7 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN104359737B 公开(授权)日 20150218 申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明(设计)人 叶继春;潘淼;高平奇;韩灿 主分类号 G01N1/28 IPC主分类号 专利有效期 晶体硅体少子寿命的测试方法 至晶体硅体少子寿命的测试方法 法律状态 说明书摘要

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