| 专利名称 | 逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法 | 申请号 | CN201210524694.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103855204B | 公开（授权）日 | 20140611 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 张文亮;胡爱斌;朱阳军;陆江 | 主分类号 | H01L29/739 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法 至逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
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