| 专利名称 | 原位垂直生长二氧化钛纳米片薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201010606347.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102557477A | 公开（授权）日 | 20120711 | 申请（专利权）人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 冶银平;杜雯;李红轩;赵飞;吉利;权伟龙;陈建敏;周惠娣 | 主分类号 | C03C17/245 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 原位垂直生长二氧化钛纳米片薄膜的制备方法 至原位垂直生长二氧化钛纳米片薄膜的制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障