| 专利名称 | 用于降低MEMS传感器应力的组装结构及制备方法 | 申请号 | CN201910053199.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109761187A | 公开（授权）日 | 20190517 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 陈德勇;鲁毓岚;王军波;谢波;李亚东 | 主分类号 | B81B7/00 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 用于降低MEMS传感器应力的组装结构及制备方法 至用于降低MEMS传感器应力的组装结构及制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障