| 专利名称 | 硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法 | 申请号 | CN201710062927.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106783848A | 公开（授权）日 | 20170531 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;季祥海;杨晓光 | 主分类号 | H01L27/04 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法 至硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
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