| 专利名称 | 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 | 申请号 | CN200610003529.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101017830A | 公开（授权）日 | 20070815 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨少延;陈涌海;李成明;范海波;王占国 | 主分类号 | H01L27/12 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 至具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障