| 专利名称 | 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 | 申请号 | CN200510004572.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1808707A | 公开（授权）日 | 20060726 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 黄应龙;杨富华;王良臣;王建林;伊小燕;马龙;白云霞;姜磊 | 主分类号 | H01L21/822 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 至共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障