| 专利名称 | GaN基T型栅高频器件及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201810335318.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108565283A | 公开（授权）日 | 20180921 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张晓东;张辉;张佩佩;于国浩;蔡勇;张宝顺 | 主分类号 | H01L29/06 | IPC主分类号 | 专利有效期 | GaN基T型栅高频器件及其制备方法和应用 至GaN基T型栅高频器件及其制备方法和应用 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障