| 专利名称 | 具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法 | 申请号 | CN02125681.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1236114C | 公开（授权）日 | 20040204 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 柳祝红;崔玉亭;张铭;王文洪;陈京兰;吴光恒 | 主分类号 | C30B29/52 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法 至具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
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