| 专利名称 | III族氮化物低损伤刻蚀方法 | 申请号 | CN201510868081.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105355550B | 公开（授权）日 | 20160224 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 | 主分类号 | H01L21/306 | IPC主分类号 | 专利有效期 | III族氮化物低损伤刻蚀方法 至III族氮化物低损伤刻蚀方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障