| 专利名称 | 提高半导体电子器件击穿电压的结构及半导体电子器件 | 申请号 | CN201210326246.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681792A | 公开（授权）日 | 20140326 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 蔡勇;顾国栋;张宝顺 | 主分类号 | H01L29/10 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 提高半导体电子器件击穿电压的结构及半导体电子器件 至提高半导体电子器件击穿电压的结构及半导体电子器件 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障