| 专利名称 | 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构 | 申请号 | CN201910138043.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109935582A | 公开（授权）日 | 20190625 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 蔡小五;罗家俊;陆江;卜建辉;赵海涛;曾传滨;刘海南 | 主分类号 | H01L27/02 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构 至双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障