| 专利名称 | 纳米级TiO2加入ZnO压敏电阻配方中的方法 | 申请号 | CN99120639.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1092834C | 公开（授权）日 | 20001115 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 冯士芬;季幼章 | 主分类号 | H01C7/112 | IPC主分类号 | 专利有效期 | 纳米级TiO2加入ZnO压敏电阻配方中的方法 至纳米级TiO2加入ZnO压敏电阻配方中的方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障