| 专利名称 | III‑V族化合物横向纳米线结构，纳米线晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201710122443.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106898641A | 公开（授权）日 | 20170627 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张望;韩伟华;赵晓松;杨富华 | 主分类号 | H01L29/06 | IPC主分类号 | 专利有效期 | III‑V族化合物横向纳米线结构，纳米线晶体管及其制备方法 至III‑V族化合物横向纳米线结构，纳米线晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
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